Le module double 2MBI200HJ-120-50 s'impose comme la clé de voûte de vos architectures de conversion d'énergie. Conçu pour supporter des exigences de commutation strictes, ce semi-conducteur répond aux critères d'intégration des sytèmes électriques modernes.
Ce tableau regroupe les caractéristiques thermiques et électriques optimales pour vos simulations de circuits :
| Paramètre Global | Valeur Nominale |
|---|---|
| Tension Collecteur-Émetteur (Vces) | 1200 V |
| Courant Collecteur Continu (Ic) | 200 A |
| Configuration Interne | Dual IGBT (2 en 1) |
| Modèle Spécifique | 2MBI200HJ-120-50 |
Grâce à une structure optimisée pour la dissipation thermique, ce module limite les pertes par conduction. Vos systèmes d'onduleurs subissent moins de stress calorifique, ce qui prolonge la durée de vie des condensateurs environnants dans vos armoires électriques.
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